此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench® 工艺生产。同时结合了硅和 Dual Cool™ 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。此器件还增加了高效单片肖特基体二极管的优点。