此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷和极低 RDS(ON)。