型号FDME1024NZT
品牌
分类MOSFET
描述双 N 沟道,Power Trench® MOSFET,20V,3.8A,66mΩ
产品概述

此器件专门设计为手机和其他超便携应用中双开关要求的单封装解决方案。它具有两个独立的 N 沟道 MOSFET,且均具有低导通电阻,可实现最低的导电损耗。MicroFET 1.6x1.6 薄封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能,非常适合开关和线性模式应用。