该封装集成两个在共源配置中内部连接的 N 沟道器件，并采用栅极屏蔽技术。 如此极大地减少了封装的寄生效应，优化了到底部共源焊盘的传热路径。 以极小的尺寸 (5 x 6 mm) 实现较高的功率密度。