此器件专为提高 DC/DC 转换器的效率而设计。使用 MOSFET结构中的新技术，对门极电荷和电容的各种组件进行了优化，以减少开关损耗。低门极电阻和极低的 Miller 电荷可使自适应和固定死区时间门极驱动电路具有出色的性能。维持极低的 rDS(on)，以提供子逻辑电平器件。