此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench®工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。