此器件专用于提高 DC-DC 转换器的能效。在 MOSFET 结构中使用新型技术，门极电荷和电容的各个组件得以优化，可降低开关损耗。低门极电阻和极低米勒电荷可在自适应和固定死区时间门极驱动电路中实现卓越性能。保持了极低 rDS(on)，提供了一个亚逻辑电平器件。