这些双 N 和 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。缩小实现有源箝位拓扑所需的空间； 实现同类最佳的功率密度。