此器件专门设计为锂电子电池组保护电路和其他超便携应用中的单封装解决方案。它具有两个共漏极 N 沟道 MOSFET，可实现双向电流流向，基于 Fairchild 先进的 PowerTrench® 工艺以及 MicroFET 导线框架，FDMB2307NZ 可最大程度减小 PCB 空间和 rS1S2(on)。