此单 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的，可基于特制的 MicroFET 引线框架优化 rDS(ON) @ VGS = 1.5 V。此设计与 FDMA410NZ 类似，但它采用我们先进的新型 0.55mm（最大）2x2 MLP 封装。