此器件专门设计为双开关要求的单封装解决方案，如用于更大 MOSFET 的门极驱动器。它具有两个独立的 P 沟道 MOSFET，且均具有低导通电阻，可实现最低的导电损耗。MicroFET 2x2 封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合线性模式应用。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。