型号FDMA1430JP
品牌
分类MOSFET
描述集成式 P 沟道,Power Trench® MOSFET 和 BJT,-30V,-2.9A,90mΩ
产品概述

此器件专门设计为手机和其他超便携应用中负载开关的单封装解决方案。它具有一个 50 V NPN BJT 和一个 30 V P 沟道沟槽 MOSFET,采用节省空间的 MicroFET 2x2 封装,对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能,适用于线性模式应用。