此类 N 和 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。此类器件适用于无法采用更昂贵的 TSSOP-8 和 SSOP-6 封装的应用，可利用其非常小的占位提供出色的功率耗散。