型号FDG6318PZ
品牌
分类MOSFET
描述双 P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-20 V,-0.5 A,307 mΩ
产品概述

此类双 P 沟道逻辑电平增强模式 MOSFET 专用于最大程度降低导通电阻。此器件专用于双极数字晶体管和小信号 MOSFET。