型号FDFMA2P853
品牌
分类MOSFET
描述集成式 P 沟道 Power Trench® MOSFET 和肖特基二极管 -20V,-3.0A,120mΩ
产品概述

此器件专门设计作为蜂窝手机和其他超便携应用中电池充电开关的单封装方案。它具有一个带有低导通电阻的 MOSFET,以及一个独立连接的低正向电压肖特基二极管,可实现最低的导电损耗。就其物理尺寸而言,MicroFET 2x2 封装具有出色的热性能,非常适合线性模式应用。