型号FDFMA2P029Z
品牌
分类MOSFET
描述集成式 P 沟道,Power Trench® MOSFET 和肖特基二极管,-20V,3.1A,95mΩ
产品概述

此器件专门设计为手机和其他超便携应用中电池充电开关的单封装方案。它具有一个具有极低导通电阻的 MOSFET,和一个单独联接的低正向电压肖特基二极管,可实现最低导通损耗。MicroFET 2X2 封装提供相对于物理尺寸的卓越热性能,适用于线性模式应用。