型号FDFMA2N028Z
品牌
分类MOSFET
描述集成式 N 沟道,Power Trench® MOSFET 和肖特基二极管,20V,3.7A,68mΩ
产品概述

此器件专门设计为手机和其他超便携应用中升压拓扑结构的单封装解决方案。它具有带低导通电阻的 MOSFET,还具有一个独立联接的肖特基二极管,正向电压低。MicroFET 2x2 封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能,非常适合开关和线性模式应用。