此类 N 沟道增强型电场效应晶体管使用平面条纹 DMOS 专属工艺生产。此先进工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件适用于高能效开关模式电源和有源功率因数校正。