此 P 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench® 专属技术生产的，可提供低 RDS(on) 和优化的 BVdss 能力，为应用带来卓越性能优势，还能提供优化的开关性能，降低转换器/反相器应用中的功率耗散损耗。