型号FDC6561AN
品牌
分类MOSFET
描述双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET,逻辑电平,30V,2.5A,95mΩ
产品概述

这些 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现出色的开关性能。这些器件非常适合需要小体积的所有应用、尤其是希望实现低成本 DC/DC 转换的电池供电系统。