此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用 PowerTrench® 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件适用于无法采用更大封装的应用，可为其在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。