此 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现出色的开关性能。这些器件具有出色的功率耗散，与较大的 SO-8 和 TSSOP-8 封装相比，占位非常小。