此 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。与更大的 SO-8 和 TSSOP-8 封装相比，此器件可在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。