此类双 N 和 P 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适合在低压应用中替代负载开关应用中的数字晶体管。因为无需偏置电阻，所以此类双数字 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻的数字晶体管。