此类双 N 和 P 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用专属的高单元密度 DMOS 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件的设计专门针对低压应用进行改进，可替代负载开关应用中的双极数字晶体管。由于无需偏置电阻，因此该双数字 FET 可以替代若干带各种偏置电阻的数字晶体管。