这款P沟道增强型MOSFET是采用高单元密度的沟槽型MOSFET技术生产，用于最大限度地减少导通电阻，同时提供稳固、可靠和快速开关的性能表现。BSS84能够以最低的消耗用于需要高达0.13A直流电的绝大数应用中，并可提供最高达0.52A的电流。这款产品尤其适合需要低电流上桥开关的低压应用。