该款N沟道小信号MOSFET采用安森美专有的高单元密度DMOS技术生产，旨在最大程度减少导通电阻，同时提供稳固、可靠和快速的开关性能表现。它们可用于需要高达400mA DC的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流，尤其适合低电压、低电流应用。