MP8699B 专用于驱动半桥或同步应用中的增强型氮化镓 (GaN) FET 或具有低栅极电压阈值的 N 沟道 MOSFET。 MP8699B 采用独立的高端 (HS) 和低端 (LS) 脉宽调制 (PWM) 输入。

该器件采用自举 (BST) 技术提供 HS 驱动器电压，并可在高达 100V 的电压下工作。其新型充电技术将 HS 驱动器电压保持在 VCC 电压以下，从而防止栅极电压超过增强型 GaN FET 的最大栅源电压额定值。

MP8699B 具备两个独立的栅极输出，通过增加栅极环路的阻抗，可独立调节导通与关断能力。

MP8699B 采用 WLCSP-12L (2mmx2mm) 封装。