MPQ1918-AEC1 专为驱动半桥或同步应用中的增强型氮化镓 (GaN) FET 和低栅极阈值电压 N 沟道 MOSFET而设计。它采用独立的上管 (HS) 和下管 (LS) 脉宽调制 (PWM) 输入。

MPQ1918-AEC1采用自举 (BST) 技术提供 HS 驱动电压，并可在高达 100V 的电压下工作。这种新型充电技术可防止HS 驱动电压超过 5V 驱动电源电压 (V_CC)，从而避免栅极电压超过增强型 GaN FET 的最大栅源电压额定值。

该器件有两个独立的栅极输出。通过这些输出，实现了通过增加栅极环路阻抗来独立调节开启和关断能力。该 IC 的工作频率最高可达几MHz。

MPQ1918-AEC1 采用 EMI性能优化的侧面镀锡 FCQFN-14 (3mmx3mm) 封装。