NB672/NB673可为DDR3、DDR3L和LPDDR2 存储器提供最高功率密度的完整电源解决方案。它集成了一个高频同步整流降压开关变换器（VDDQ），具有 1.5A 的灌/拉电流 LDO（VTT）以及缓冲低噪声参考输出（VTTREF）。
这款全集成降压变换器可以在宽输入范围内实现6A/8A连续输出电流和 8A/10A 峰值输出电流，具有出色的负载和线性调整率。它采用恒定导通时间控制模式（COT），可提供快速瞬态响应，并使环路更易稳定。
VTT LDO提供了1.5A的灌/拉电流能力，输出电容仅需10μF的陶瓷电容即可。
VTTREF 追踪 VDDQ/2 值，精度达到1%。其欠压锁定阈值内部默认设置为4.5V。通过一个开漏电源指示（PG）信号来指示VDDQ是否在正常范围内。全方位保护功能包括过流保护（OCP）、过压保护（OVP）和过温关断保护。该变换器最大限度地减少了外部元器件的使用，采用 QFN21 (3mmx4mm)封装。