NB686 可为 DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 存储器应用提供整套高密度电源解决方案。它集成一个高频同步整流降压开关变换器（VDDQ），具有 1 A 的灌/拉电流 LDO（VTT）以及缓冲低噪声参考输出（VTTREF）。
NB686 基于 MPS 独有的开关损耗降低技术和低导通阻抗功率 MOSFET，能在宽输出电流负载范围内高效工作。
自适应恒定导通时间（COT）控制模式提供快速瞬态响应，并使环路更易稳定。DC 自动调节环路可提供较好的负载和线性调整率。
VTT LDO 提供了 1A 的灌/拉电流能力，输出电容仅需 22μF 的陶瓷电容即可。VTTREF 追踪 VDDQ/2 的值，精度为 1%。
全方位的保护功能包括过流限制保护、过压保护、欠压保护、过温关断保护和过温警报功能（OTW）。
该变换器采用 QFN 3mm x 3mm 封装，最大限度地减少了外部元器件的使用数量。