EiceDRIVER™ 600 V 三相半桥栅极驱动器 IC 适用于 IGBT 和 MOSFET，拉灌电流典型值分别为 0.2 A 和 0.35 A，具有 11.1 V/10.9 V UVLO、400 ns/380 ns 传播延迟和 0.46 V_ITRIP 正向阈值 (V_ITRIP)，采用 PLCC-44 封装和结隔离电平转换技术。高达 -100 V 改进负瞬态电压稳健性、集成自举二极管 (BSD) 并且电平位移损耗降低 50%，请了解英飞凌 SOI 600 V 三相栅极驱动器 6EDL04I06PT、6EDL04I06NT 和 6EDL04N06PT。 或者 6EDL04N02PR，该型号为 200 V 3 相栅极驱动器，采用 TSSOP-28 封装。