首页 Infineon(英飞凌) 栅极驱动 IC 1EDS20I12SV
型号1EDS20I12SV |
品牌 |
分类栅极驱动 IC |
描述 |
|
产品概述 1200 V单通道高边栅极驱动IC, UL认证,实现了转换驱动速率控制、DESAT、过流软关断和两级关断闭 EiceDRIVER™1200 V单通道电隔离栅极驱动器采用DSO-36宽体封装,具备典型拉电流10 A、灌电流2 A。 1EDS20I12SV(1ED-SRC)是英飞凌驱动速率可控的栅极驱动器家族一员。作为受控电流源,它可在接通过程中控制最多3个外接P沟道MOSFET,因而能够精确控制接通过程,避免dvCE/dt或diC/dt瞬态过大。这颗IC具备2 A峰值灌电流,以用于关断IGBT,并可提供外接PNP晶体管,用于支持额定电流大于75 A的IGBT。 特征描述 - 单通道隔离式栅极驱动IC(1ED-SRC)
- 驱动速率控制
- 适用于600 V/1200 V IGBT、MOSFET、SiC MOSFET,包括单管和模块
- IGBT关断:2 A下拉至轨
- IGBT过流保护
- 精确DESAT保护,VCEsat检测
- 软关断:1 A下拉至轨
- 有源米勒钳位,两级关断(TLTOff)
- 掉电保护和短路钳位
优势 - 针对三电平电路优化短路控制
- IGBT开通过程中实时调节电流驱动速率控制
- 增强隔离测试,符合VDE 0884-10 VIORM=1420 V、VIOTM=8000 V要求(标准于2019年12月31日到期,产品和测试保持不变)
- UL认证,符合UL 1577要求(VISO = 5000 V(rms)持续1分钟)
- 可在高达105°C的最高环境温度下工作
|