型号IRS2008S
品牌
分类栅极驱动 IC
描述
产品概述

200 V 半桥驱动器 IC

具有关断,VCC和VBS UVLO的200 V半桥栅极驱动器IC,可确保可靠的启动操作

200 V 半桥驱动器 IC,具有关断输入,典型的 0.29 A 拉电流和 0.6 A 灌电流,采用 8 引脚 SOIC 封装,适用MOSFET.。可选 MLPQ 4 x 4 14L 封装:IRS2008M.

IRS2008是一款200 V电平移位结隔离MOSFET驱动器,具有相依的高边和低边参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术可实现坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现极小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置的N通道功率MOSFET,工作电压高达200 V。播延迟与之匹配,简化了HVIC在高频应用中的使用。

特征描述

  • 栅极驱动每个通道可提供高达 20 V 的电压
  • 双通道欠压锁定,适用于VCC, VBS
  • 3.3V、5V 、15V 输入逻辑兼容
  • 容许负瞬态电压高
  • 设计用于自举电源
  • 防止交叉传导逻辑
  • 双通道的匹配传播延迟
  • 内部死区设置时间
  • 高边输出与输入同相
  • 关断输入将关闭两个通道
  • 工作温度-40°C 到 125°C
  • 符合 RoHS

优势

  • 封装空间节省,BOM成本降低,PCB尺寸更小,可实现更低的成本和更简单的设计
  • 异常运行时提供保护,确保可靠的启动操作
  • 易于使用,设计直观
  • 改善效能
  • 切换快速可靠

发现我们的型号

IRS2005S/M: 200 V 高边和低边栅极驱动器 IC,具有680/150 ns传播延迟。替代 IRS2001S.

IRS2007S/M: 200 V 半桥栅极驱动器 IC,具有160/150 ns传播延迟。替代 IRS2003S.

IRS2008S/M: 200 V 半桥栅极驱动器 Ic,具有关断输入和160/150 ns传播延迟。替代 IRS2004S.

步进电机评估板可用:EVAL-PS-IRS200X