型号IRS2007S
品牌
分类栅极驱动 IC
描述
相关操作
产品概述

具有VCC和VBS UVLO的200 V半桥栅极驱动器IC，可确保可靠的启动操作

200 V半桥驱动器IC 具有关断输入，典型的 0.29 A 拉电流和 0.6 A 灌电流，采用 8 引脚 SOIC 封装，适用MOSFETs。可选 MLPQ 4 x 4 14L 封装: IRS2007M。

特征描述

  • 典型栅极电流I O + / I O-数值分别为290 mA / 600 mA
  • 栅极驱动每个通道可提供高达 20 V 的电压
  • V CC ，V BS的欠压锁定
  • 3.3V、5V 、15V 输入逻辑兼容
  • 容许负瞬态电压高
  • 设计用于自举电源
  • 防止交叉传导逻辑
  • 双通道的匹配传播延迟
  • 内部死区设置时间
  • 高边输出与 HIN 输入同相
  • 低边输出与 LIN 输入不同相
  • 工作温度-40°C 到 125°C
  • 2 kV HBM ESD
  • 符合 RoHS

优势

  • 封装空间节省，BOM成本降低，PCB尺寸更小，可实现更低的成本和更简单的设计
  • 异常运行时提供保护，确保可靠的启动操作
  • 易于使用，设计直观
  • 改善效能
  • 切换快速可靠

多种型号

IRS2007是一款 200 V电平转换结隔离MOSFET 驱动器， 具有相依的高边和低边参考输出通道。专有的HVIC和防闩锁CMOS技术可实现坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3 V逻辑。输出驱动器具备专门设计的高脉冲电流缓冲级，旨在尽可能降低驱动器跨导。浮动通道可用于驱动高边配置中的N通道功率MOSFET，其工作电压高达200 V。传播延迟相互匹配，HVIC用于高频应用更简便。

IRS2005S/M: 200 V高边和低边栅极驱动IC，具备680/150 ns传播延迟。替代IRS2001S。

IRS2007S/M: 200 V半桥栅极驱动IC，具备160/150 ns传播延迟。替代IRS2003S。

IRS2008S/M: 200 V半桥栅极驱动IC，具备关断输入引脚，160/150 ns传播延迟。替代IRS2004S。

面向步进电机的评估板现已供货:EVAL-PS-IRS200X