型号IRS2007M
品牌
分类栅极驱动 IC
描述
相关操作
产品概述

具备VCC和VBS UVLO功能的200 V半桥栅极驱动器IC，确保可靠的启动操作

是200 V半桥栅极驱动器IC，它采用MLPQ 4 x 4 14L封装，具有典型的0.29 A源电流和0.6 A灌电流，适用于MOSFET。您亦可订购SOIC-8封装版本：IRS2007S.

特征描述

  • 典型栅极电流IO+/ IO- 290 mA / 600 mA
  • 栅极驱动器可为每个通道提供高达20V的电压
  • VCC和VBS欠压锁定
  • 兼容3.3 V、5 V、15 V 输入逻辑
  • 可承受负瞬态电压
  • 专门用于自举电源
  • 防交叉传导逻辑
  • 各通道都具有匹配的传播延时
  • 传播延时：160/150 ns
  • 内部设定的死区时间
  • 高边输出与HIN输入同相
  • 低边输出与LIN输入异相
  • 工作温度范围：-40°C至125°C
  • 2 kV HBM ESD
  • 符合RoHS标准

优势

  • 封装节省空间、物料清单成本降低、具备更简单设计和更低成本的更小PCB
  • 异常操作保护，确保启动操作可靠
  • 直观易用的设计
  • 改进能效
  • 快速可靠开关

多种型号

IRS2007是一款 200 V电平转换结隔离MOSFET 驱动器， 具有相依的高边和低边参考输出通道。专有的HVIC和防闩锁CMOS技术可实现坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3 V逻辑。输出驱动器具备专门设计的高脉冲电流缓冲级，旨在尽可能降低驱动器跨导。浮动通道可用于驱动高边配置中的N通道功率MOSFET，其工作电压高达200 V。传播延迟相互匹配，HVIC用于高频应用更简便。

IRS2005S/M: 200 V高边和低边栅极驱动IC，具备680/150 ns传播延迟。替代IRS2001S。

IRS2007S/M: 200 V半桥栅极驱动IC，具备160/150 ns传播延迟。替代IRS2003S。

IRS2008S/M: 200 V半桥栅极驱动IC，具备关断输入引脚，160/150 ns传播延迟。替代IRS2004S。

面向步进电机的评估板现已供货:EVAL-PS-IRS200X