型号IR21531S
品牌
分类栅极驱动 IC
描述
产品概述

半桥驱动器 LO 与 RT 同相,具有可编程振荡频率,死区时间为 0.6µs,采用 8 引脚 SOIC 封装,并且具有不同相位

自激振荡 600 V 半桥驱动器 IC,具有典型的 0.18 A 拉电流和 0.26 A 灌电流,采用 8 引脚 SOIC 封装,适用于 IGBT MOSFET。也有 8 引脚 PDIP 封装可选。

特征描述

  • 集成 600 V 半桥栅极驱动器
  • Vcc 上的 15.6 V 齐纳箝位
  • 真正的微功耗启动
  • 更严格的初始死区时间控制
  • 低温系数下的死区时间
  • CT 引脚上的关断特性 (1/6th Vcc)
  • 增加欠压锁定迟滞 (1 V)
  • 较低功耗的电平移位电路
  • 启动时的恒定 LO、HO 脉冲宽度
  • 较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性
  • 高边输出与 RT 同相
  • 所有输入和输出均具有出色的锁定抗扰度
  • 所有引脚上均具有 ESd 保护