型号2EDF8275F
品牌
分类栅极驱动 IC
描述
相关操作
产品概述

快速稳健的双通道增强隔离型 MOSFET 栅极驱动器，具备精确稳定时序

EiceDRIVER™2EDF8275F 是实现大功率开关噪声环境中高边及低边 MOSFET 初级侧控制可靠稳健运行的理想选择。4 A 拉电流/ 8 A 灌电流双通道栅极驱动器功能强大，在驱动 CoolMOS™ 或 OptiMOS™ 等中高压 MOSFET 时可实现快速导通/关断。 两个输出通道均单独隔离，可灵活配置成具备高达 150V/ns CMTI（共模噪声抗扰度）的浮地栅极驱动器。

VDDi 输入电源支持宽电压范围 SLDO 模式，省去了板载 LDO。而在开关速度较慢或驱动小型 MOSFET 时，则适用具备 1A/2A 峰值电流的 EiceDRIVER™ 2EDF8275F，其采用 DSO-16 窄体封装，爬电距离为 4 mm。

特征描述

  • 开关快速，时序精准
  • 占板面积和系统 BOM 经优化
  • 稳健可靠，耐受开关噪声
  • 输出通道间隔离
  • 输入通道间隔离

优势

  • 功率效率和高分辨率 PWM 控制
  • 尺寸更小，封装温度更低
  • 具备保护功能，安全运行
  • 灵活分配任意驱动器通道
  • 浮地栅极驱动器和受调节的安全性

潜在应用

  • 电信 DC-DC
  • 服务器
  • 工业 SMPS
  • 不间断电源 (UPS)
  • 电池
  • 电动汽车充电
  • 智能电网

系统数值

  • 打造系统效率和功率密度更高的设计
  • 增强长期竞争力成本优势、集成度和大批量制造能力
  • 提升电源开关的安全运行性能，延长终端产品的使用寿命
  • 通过接地隔离、接近 MOSFET 的驱动器布局或使用第 4 引脚源极 MOSFET 来降低 EMI
  • 满足构建隔离型 AC-DC、DC-DC 半桥拓扑的要求