600 V半桥栅极驱动IC集成自举二极管，具有典型的0.02 A拉电流和0.08 A灌电流，采用DSO-8封装，用于驱动包括快速体二极管CoolMOS PFD7超结MOSFET和IGBT在内的MOSFET。

2ED28073J06F为高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关的高边和低边参考输出沟道。专有HVIC和防闭锁CMOS技术可帮助实现坚固的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3 V逻辑。输出驱动器具有低di/dt输出级，经优化，可在电机驱动应用场合下驱动CoolMOS™ PFD7。浮动沟道可用于驱动高边配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，最高工作电压为600 V。