型号2ED2108S06F
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分类栅极驱动 IC
描述
相关操作
产品概述

采用DSO-8封装、集成自举二极管的650 V、0.7 A半桥栅极驱动器

是650 V半桥高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，它采用DSO-8封装，具有典型的0.29A源电流和0.7A灌电流。您亦可选购DSO-14封装，获取更大的爬电距离： 2ED21084S06J。

基于英飞凌SOI技术, 它对VS引脚的负瞬态电压有着出色的耐用性和抗干扰性。该器件没有采用寄生晶闸管结构，因此在任何温度和电压条件下，都不存在寄生闩锁效应

特征描述

  • 工作电压（VS节点）高达 + 650 V
  • VS负瞬态抗扰 100 V
  • 集成超快、低电阻自举二极管, 减少了物料清单成本
  • 浮动通道，用于自举操作
  • 最大电源电压：25 V
  • 两个通道均具有独立的欠压锁定（UVLO）
  • 传播延时：200 ns
  • 540 ns 内部死区时间
  • HIN, /LIN 逻辑输入
  • VS引脚的逻辑操作高达–11 V
  • 输入负电压容差：–5 V
  • 浮动通道可用于驱动采用高边配置的N通道MOSFET、SiC MOSFET或IGBT

优势

  • 集成自举二极管（BSD）——通过更简单的设计、更低的成本来节省空间、降低物料清单成本和缩小PCB尺寸
  • 电平转换损失减少50%
  • 对VS引脚的负瞬态电压（-100 V）有着出色的耐用性和抗干扰能力

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Part No Package Input logic Interlock Deadtime

2ED2106S06F

 DSO - 8

HIN, LIN

 No None

2ED21064S06J

 DSO - 14 HIN, LIN No

None

2ED21084S06J

 DSO - 14 HIN, /LIN

Yes

Programmable 540 ns - 5000 ns

2ED2109S06F

DSO - 8

 IN, /SD Yes Internal 540 ns

2ED21094S06J

 DSO - 14 IN, /SD

Yes

Programmable 540 ns - 5000 ns

2ED21091S06F

 DSO - 8

IN, DT/SD

Yes

Programmable 540 ns - 2700 ns