型号2ED21064S06J
品牌
分类栅极驱动 IC
描述
相关操作
产品概述

采用DSO-14封装、集成自举二极管的650 V, 0.7 A高边和低边栅极驱动器

650 V高边和低边高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，具有典型的0.29A拉电流、0.7A灌电流，采用DSO-14 封装。另外还提供更小巧的DSO-8 封装产品：2ED2106S06F。

它们基于英飞凌SOI工艺，拥有出色的耐用性和抗噪性，可耐受VS引脚上的负瞬态电压。该器件无寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不存在寄生锁存效应。

特征描述

  • 工作电压（VS节点）最大+ 650 V
  • 100 V的负VS瞬态抗扰性
  • 集成超快速、低电阻自举二极管，降低BOM成本
  • 浮动沟道专为自举操作而设计
  • 高压和低压引脚分开，以实现最大爬电距离和电气间隙
  • 分离逻辑和电源接地，缩短栅极回路
  • 针对两个沟道的独立欠压锁定（UVLO）
  • 200纳秒传播延迟
  • HIN、LIN逻辑输入
  • 25 V最大供电电压
  • VS引脚上逻辑操作电压达–11 V
  • 输入端负电压容差为–5 V
  • 浮动沟道可用于驱动N沟道MOSFET、SiC MOSFET或高边IGBT

优势

  • 集成自举二极管（BSD）—节省空间、降低BOM成本、PCB更小，以更低成本实现更简单的设计
  • 电平转换损耗降低50%
  • 出色的耐用性和抗噪性，可耐受VS引脚上的负瞬态电压（-100 V）

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Part No Package Input logic Interlock Deadtime

2ED2106S06F

 DSO - 8

HIN, LIN

 No None

2ED2108S06F

 DSO - 8 HIN, /LIN

Yes

Internal 540 ns

2ED21084S06J

 DSO - 14 HIN, /LIN

Yes

Programmable 540 ns - 5000 ns

2ED2109S06F

 DSO - 8 IN, /SD

Yes

Internal 540 ns

2ED21094S06J

 DSO - 14 IN, /SD

Yes

Programmable 540 ns - 5000 ns

2ED21091S06F

 DSO - 8

IN, DT/SD

Yes

Programmable 540 ns - 2700 ns