型号1EDS5663H |
品牌 |
分类栅极驱动 IC |
描述 |
产品概述 GaN EiceDRIVER™IC具有出色的稳健性和效能,非常适合驱动GaN HEMT 新型单通道电隔离栅极驱动器IC组件1EDS5663H非常适合增强型GaN HEMT。 它具有非隔离栅极(二极管输入特性)和低阈值电压, 例如CoolGaN™。 它可确保稳健高效的高压GaN开关操作,同时大大减少研发工作并缩短产品上市时间。 好处正负栅极驱动电流: 在断相期间,将栅极电压保持在零位: 可配置且恒定的GaN开关转换速率, 跨越宽范围的开关频率和占空比: 集成电隔离: 特点低输出电阻: 单通道电流隔离: 定时: 关键用例
目标应用
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