型号1EDS5663H
品牌
分类栅极驱动 IC
描述
产品概述

GaN EiceDRIVER™IC具有出色的稳健性和效能,非常适合驱动GaN HEMT

新型单通道电隔离栅极驱动器IC组件1EDS5663H非常适合增强型GaN HEMT。 它具有非隔离栅极(二极管输入特性)和低阈值电压, 例如CoolGaN™。 它可确保稳健高效的高压GaN开关操作,同时大大减少研发工作并缩短产品上市时间。

好处

正负栅极驱动电流:
快速导通/关断GaN开关转换速度

在断相期间,将栅极电压保持在零位:
避免GaN开关误导通
减少高达50%的死区时间损失

可配置且恒定的GaN开关转换速率, 跨越宽范围的开关频率和占空比:
稳健且高效的SMPS设计
缩短产品上市时间

集成电隔离:
硬开关应用中的稳健操作
可以达到加强(安全)隔离标准

特点

低输出电阻:
输出: 0.85Ω
下沉: 0.35Ω

单通道电流隔离:
加强隔离: VIOTM = 8000Vpk (VDE 0884-10审核中)
VIOWM = 1420 VDC
CMTI最小值:200V/ns

定时:
最小输出脉冲宽度: 18ns
传播延迟精度: 13ns

关键用例

  • 图腾柱PFC
  • 维也纳整流器
  • 多层次拓扑
  • 谐振LLC

目标应用

  • 服务器电源
  • 数据通信
  • 电信DC-DC
  • 适配器电源
  • 充电器电源
  • 无线充电