型号IDFW40E65D1E
品牌
分类二极管 & 晶闸管 (Si/SiC)
描述
相关操作
产品概述

650 V silicon power diode in TO-247 package

Rapid 1开关 650 V 40 A 发射极控制硅功率二极管，采用 TO-247先进隔离封装，实现出色的成本效益解决方案。

特征描述

  • 650V 发射极控制技术
  • 关键参数高温度稳定性
  • 低正向电压 (VF)
  • 低反向恢复电荷 (Qrr)
  • 低反向恢复电流 (Irrm)
  • 软化系数 > 1
  • 最高结温为 175°C
  • 2500 VRMS电气隔离，50/60 Hz，t = 1 分钟
  • 100 % 通过检测的隔离封装面
  • 无铅镀层；符合 RoHS
  • 根据 JEDEC[1]47/20/22 相关测试，符合工业应用要求

优势

  • 无需使用隔离材料和导热脂
  • 与采用隔离箔的标准 TO-247 相比，组装时间缩短 35%
  • 消除隔离箔未对齐情况，提高产量
  • 与采用隔离材料的标准 TO-247 相比，Tc可降低 至10°C
  • Iout增加高达 20%，支持更高的功率输出
  • 全面制造工艺控制
  • 容易并联