采用 TO-247-3封装的1200 V, 30 A第五代CoolSiC™ 肖特基二极管 为碳化硅肖特基势垒二极管提供了先进的技术。英飞凌在第二代产品推出时就已引入薄晶圆技术，现在与新的合并 pn 结结合使用，改善了二极管的浪涌能力。由此产生的结果是开发出了一系列产品，以极具吸引力的成本提供了市场领先的效率、更高的系统稳定性。