型号IDW30G120C5B
品牌
分类二极管 & 晶闸管 (Si/SiC)
描述
产品概述

1200 V Silicion Carbide 肖特基二极管, TO-247-3 封装

采用 TO-247-3封装的1200 V, 30 A第五代CoolSiC 肖特基二极管 为碳化硅肖特基势垒二极管提供了先进的技术。英飞凌在第二代产品推出时就已引入薄晶圆技术,现在与新的合并 pn 结结合使用,改善了二极管的浪涌能力。由此产生的结果是开发出了一系列产品,以极具吸引力的成本提供了市场领先的效率、更高的系统稳定性。

特征描述

  • 业内出色的正向电压(VF)
  • 无反向恢复电荷
  • Vf 的适度正温度依赖性
  • 业内出色的冲击电流能力
  • 优异的热性能

优势

  • 高系统效率
  • 在低开关频率下实现更高的系统效率
  • 在高开关频率下实现更高的功率密度
  • 提高系统可靠性
  • 降低电磁干扰