型号IDW10G65C5
品牌
分类二极管 & 晶闸管 (Si/SiC)
描述
相关操作
产品概述

CoolSiC™ 第5代代表了英飞凌用于 SiC 肖特基势垒二极管的前沿技术。凭借更紧凑的设计和薄晶圆技术，新产品系列在所有负载条件下都显示出更高的效率，这得益于改进的热特性和较低的品质因数(Q c x V f).
经设计，新型 CoolSiC™ 第5代可用于补充我们的650V CoolMOS™ 系列：这样能够确保此电压范围内最严格的应用要求都可以得到满足。

特征描述

  • 650V 时的V br
  • 改进的品质因数 (Q c x V f)
  • 无反向恢复电荷
  • 软开关反向恢复波形
  • 温度无关开关行为
  • 最高工作温度 (T j 最大值175° C)
  • 改进的浪涌能力
  • 无铅镀层

优势

  • 更高的过压安全裕度和 CoolMOS™ 产品补充
  • 提高了所有负载条件下的效率
  • 与硅二极管替代方案相比，更高效率
  • 与快速硅二极管反向恢复波形相比，EMI 降低
  • 高度稳定的开关性能
  • 降低冷却要求
  • 降低热失控的风险
  • 符合 RoHS
  • 非常高的质量和大批量制造能力

潜在应用

  • 太阳能
  • 不间断电源（UPS）
  • 电机驱动器