型号IGLD60R190D1
品牌
分类GaN HEMT – 氮化镓晶体管
描述
产品概述

CoolGaN™600V 电子模式功率晶体管IGLD60R190D1具有极高的效率和可靠性

IGLD60R190D1 CoolGaN™600V 增强型功率晶体管提供快速的开关速度和最小的开关损耗, 并实现最高效率的简单半桥拓扑结构。.

CoolGaN™600V系列符合全面为GaN而定制的认证,远远超出现有标准。 它针对数据通信和服务器开关电源,电信以及适配器,充电器,无线充电以及其他需要最高效率或功率密度的应用。

Features

  • 增强模式晶体管 - 常关型开关
  • 超快速开关
  • 没有反向恢复电荷
  • 能够反向传导
  • 低栅极电荷,低输出电荷
  • 卓越的换向坚固性
  • 符合JEDEC标准(JESD47和JESD22)的工业应用

Benefits

  • 提高系统效率
  • 提高功率密度
  • 实现更高的操作频率
  • 降低系统成本
  • 降低EMI

Target applications

  • 工业
  • 电信
  • 数据中心开关电源基于半桥拓扑
  • 适配器