首页 Infineon(英飞凌) IGBT - 绝缘栅双极晶体管 FP35R12KT4_B15
型号FP35R12KT4_B15 |
品牌 |
分类IGBT - 绝缘栅双极晶体管 |
描述 |
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产品概述 EconoPIM™ 21200 V, 35 A三相PIM IGBT 模块,采用第四代快速沟槽栅/场终止IGBT、第四代发射极控制二极管和 NTC温度检测(可机械兼容第三代 IGBT 模块) 特征描述 - 低开关损耗
- 低 VCEsat
- Tvj op = 150°C
- VCEsat 具有正温度系数特性
- 高功率循环和温度循环能力
- 铜基板
- 焊接技术
- 标准外壳
优势 - 紧凑模块的概念
- 优化客户的开发周期,降低成本
- 灵活的配置
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