型号IGW40N120H3
品牌
分类IGBT - 绝缘栅双极晶体管
描述
产品概述

高速 1200 V 40 A 单第三代 TRENCHSTOP™ IGBT,采用 TO247 封装,在开关和导通损耗之间实现完美平衡。该系列产品主要特性是与 MOSFET 相类似的关断开关行为,降低关断损耗。

特征描述

  • 专为替代频率低于 70kHz 应用中的平面 MOSFET 设计
  • 极低的开关损耗,提高效率
  • 通过著名的英飞凌 TRENCHSTOP™ 技术实现优秀的 VCEsat 行为
  • 快速开关行为,低电磁干扰
  • 针对目标应用优化二极管,进一步降低开关损耗
  • 可以选择极低的栅极电阻(低至 5Ω),同时保持优秀的开关行为
  • 短路能力
  • Tj(max) 175°C
  • 可以选择带或不带续流二极管的封装,增加设计灵活度

优势

  • 开关和导通损耗低
  • 非常优秀的电磁干扰行为
  • 可与小栅极电阻同时使用,缩短延迟时间,减少电压过冲
  • 高电流密度
  • 同类产品中优秀的 1200 V IGBT 效率和电磁干扰行为