型号IKW40T120
品牌
分类IGBT - 绝缘栅双极晶体管
描述
相关操作
产品概述

1200 V，40 A 硬开关 TRENCHSTOP™ 第三代 IGBT，与续流二极管联合封装到 TO247 封装中，结合沟槽栅和场终止概念，显著改善器件静态及动态性能。IGBT 与软恢复发射极控制二极管相结合，进一步降低接通损耗。在开关和传导损耗之间做出优化，实现最高效率

特征描述

  • 最低 VCEsat 压隆，降低传导损耗
  • 低开关损耗
  • VCEsat 具备正温度系数，实现轻松并联开关能力
  • 极软、快速恢复防并联发射极控制高效二极管
  • 高稳健性和温度稳定性
  • 低 EMI 排放
  • 低栅极电荷
  • 参数分布非常紧凑

优势

  • 最高效率 – 低传导和开关损耗
  • 丰富的 600 V 和 1200 V 产品组合，支持灵活设计
  • 器件高可靠性