型号IKW40N120H3
品牌
分类IGBT - 绝缘栅双极晶体管
描述
相关操作
产品概述

1200V 40A IGBT，采用反并联二极管，TO-247 封装

高速 1200 V、40 A 硬开关 TRENCHSTOP™ IGBT4，采用TO-247封装的续流二极管装，提供开关和传导损耗之间的折中方案。此产品系列的主要特征是类似 MOSFET 的关断开关行为，实现了低关断损耗。

特征描述

  • 专门设计用于替代在开关频率低于70kHz的应用中的平面式 MOSFET。
  • 高效率，低开关损耗
  • 借助英飞凌卓越的 TRENCHSTOP™ 技术，实现了出色的 VCEsat 行为。
  • 快速开关行为，低电磁干扰辐射
  • 针对目标应用的优化二极管，意味着进一步改善开关损耗
  • 在保持出色的开关行为的同时可以实现低栅极电荷选择（低至 5Ω）
  • 短路容量
  • 提供最高175°C的 Tj
  • 可带或可不带续流二极管的封装，增加了设计自由度

优势

  • 低开关和传导损耗
  • 非常好的电磁干扰行为
  • 可以与小型栅极电阻一起使用，以减少延迟时间和电压过冲。
  • 高电流密度
  • 一流的 1200 V IGBT 效率和电磁干扰行为

潜在应用

  • 不间断电源(UPS)
  • 太阳能系统解决方案
  • 工业加热和焊接